12.18-rasmda TTL-elementining, bir qator Yarim o‘tkazgichli raqamli qurilmalar uchun integral mitti sxemaning asosi bo‘lishi sxemasi keltirilgan. Ushbu sxemada VT1 . ko‘p immitirli tranzistor qo‘llanilgan. Agarda xech bo‘lmaganda emitter-baza o‘tishidan birontasi to‘g‘ri ulangan holda bo‘lsa, VT1 ko‘p emmiterli tranzistorning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishga siljiydi. Kirish o‘tkazuvchanligi bo‘lmaganligida baza-kollektor o‘tkazuvchanligi to‘g‘ri yo‘nalishda ulanadi. 12.18-rasmda vx1, vx2 va vx3 kirishlarda «1» darajali mantiq (3.5 voltga qarshi signali) mavjud deylik. Ushbu kirish darajasida baza-kollektor o‘tkazuv-chanligi R1 qarshiliq orqali to‘g‘ri yo‘llangan va VT1 tranzistorining kollektori o‘tkazuvchanligida tok quyidagi zanjirlar orqali oqadi. Tok manbai +E qarshilik R1, orqali baza-kollektor o‘tkazuvchanligi tranzistor VT1, VT2 baza-emitter o‘tkazuvchanligi va VT4 baza-emitter o‘tkazuvchanligi. Ushbu zanjirga tegishli to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan. VT1 tranzistorning emitter-baza o‘tkazuvchanligi teskari yo‘nalishda siljigan. VT1 tranzistori rejimi invers rejimida VT2 va VT4 to‘yingan rejimda. VT2 potensiali bo‘lganidan VT3. yopilishini ta’minlaydi. Demak VT3 yopiq (qirqish rejimi), VT4, ochig‘i to‘yigan, demak sxema chiqqshida past potensial ta’minlanadi («0» daraja).